Справочник MOSFET. SSH9N80A

 

SSH9N80A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSH9N80A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH9N80A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:936K  samsung
 ssh9n80a.pdf pdf_icon

SSH9N80A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 9 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 1.000 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

 9.1. Size:938K  samsung
 ssh9n90a.pdf pdf_icon

SSH9N80A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 900 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 9 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 0.938 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value Un

Другие MOSFET... SSH7N60A , SSH7N80A , SSH7N90A , SSH80N06A , SSH8N55 , SSH8N60 , SSH8N80A , SSH8N90A , IRFB3607 , SSH9N90A , SSI1N50A , SSI1N60A , SSI2N60A , SSI2N80A , SSI2N90A , SSI3N80A , SSI3N90A .

History: 2SK2617ALS | F5020 | MRF184S | APT50M65LLLG | NTHS5402T1 | FDMQ8203 | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.