FHP13N50A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FHP13N50A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 45 nC
trⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
Тип корпуса: TO-220
FHP13N50A Datasheet (PDF)
fhp13n50a fhf13n50a.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHP13N50A/FHF13N50A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 13A Low gate charge VDSS 500V Crss ( 23pF) Low Crss (typical 23pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.34 Fast switching Qg-typ 45nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Imp
fhp13n50c fhf13n50c.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHP13N50C/FHF13N50C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 13A Low gate charge VDSS 500V Crss ( 11pF) Low Crss (typical 11pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.4 Fast switching Qg-typ 40nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Impr
fhp13007a.pdf
TRANSISTOR FHP13007A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES IC 8A High breakdown voltage VCBO 700V High switching speed VCEO 400V High current capability PC 80W High reliability RoHS RoHS product APPLICATIONS Energy-saving light Electronic ballas
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918