Справочник MOSFET. FHF13N50C

 

FHF13N50C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FHF13N50C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 40 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для FHF13N50C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHF13N50C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:971K  feihonltd
 fhp13n50c fhf13n50c.pdf pdf_icon

FHF13N50C

N N-CHANNEL MOSFET FHP13N50C/FHF13N50C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 13A Low gate charge VDSS 500V Crss ( 11pF) Low Crss (typical 11pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.4 Fast switching Qg-typ 40nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Impr

 6.1. Size:1075K  feihonltd
 fhp13n50a fhf13n50a.pdf pdf_icon

FHF13N50C

N N-CHANNEL MOSFET FHP13N50A/FHF13N50A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 13A Low gate charge VDSS 500V Crss ( 23pF) Low Crss (typical 23pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.34 Fast switching Qg-typ 45nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Imp

Другие MOSFET... FHP12N60A , FHF12N60A , FHP12N65C , FHF12N65C , FHP130N10A , FHP13N50A , FHF13N50A , FHP13N50C , IRF1407 , FHP1404A , FHP150N03A , FHS150N03A , FHD150N03A , FHP150N03C , FHP150N1F4A , FHP15N60A , FHF15N60A .

 

 
Back to Top

 


 
.