FHP20N50A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FHP20N50A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 50 nC
trⓘ - Время нарастания: 120 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
Тип корпуса: TO-220
FHP20N50A Datasheet (PDF)
fhf20n65a fhp20n65a fha20n65a.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHF20N65A/ FHP20N65A/FHA20N65A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 20A Crss ( 20pF) Low Crss (typical 20pF ) VDSS 650V Fast switching Rdson-typ 0.35 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested P (T =25) 85W D C
fhf20n60a fhp20n60a fha20n60a.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHF20N60A/ FHP20N60A/FHA20N60A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 20A Crss ( 20pF) Low Crss (typical 20pF ) VDSS 600V Fast switching Rdson-typ 0.32 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested P (T =25) 85W D C
fhp20n40a.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHP20N40A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 20A Low gate charge VDSS 400V Crss ( 12.3pF) Low Crss (typical 12.3pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.23 Fast switching Qg-typ 42nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F