FHP20N50A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FHP20N50A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для FHP20N50A
FHP20N50A Datasheet (PDF)
fhf20n65a fhp20n65a fha20n65a.pdf

N N-CHANNEL MOSFET FHF20N65A/ FHP20N65A/FHA20N65A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 20A Crss ( 20pF) Low Crss (typical 20pF ) VDSS 650V Fast switching Rdson-typ 0.35 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested P (T =25) 85W D C
fhf20n60a fhp20n60a fha20n60a.pdf

N N-CHANNEL MOSFET FHF20N60A/ FHP20N60A/FHA20N60A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 20A Crss ( 20pF) Low Crss (typical 20pF ) VDSS 600V Fast switching Rdson-typ 0.32 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested P (T =25) 85W D C
fhp20n40a.pdf

N N-CHANNEL MOSFET FHP20N40A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 20A Low gate charge VDSS 400V Crss ( 12.3pF) Low Crss (typical 12.3pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.23 Fast switching Qg-typ 42nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved
Другие MOSFET... FHD150N03A , FHP150N03C , FHP150N1F4A , FHP15N60A , FHF15N60A , FHP15N65A , FHF15N65A , FHP20N40A , 4N60 , FHF20N50A , FHP2N65D , FHF2N65D , FHU2N65D , FHD2N65D , FHP3205C , FHP3710C , FHP40N20A .
History: FHP110N8F5A
History: FHP110N8F5A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2320MI | AP2313MI | AP2312MI | AP2312AI | AP2311MI | AP2311AI | AP2307MI | AP2307AI | AP2305MI | AP2305BI | AP2305AI | AP2302CI | AP2301BI | AP2300MI | AP2300AI | AP15P06D
Popular searches
2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555