Справочник MOSFET. FHF20N50A

 

FHF20N50A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FHF20N50A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для FHF20N50A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHF20N50A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:612K  feihonltd
 fhp20n50a fhf20n50a.pdf pdf_icon

FHF20N50A

 8.1. Size:740K  feihonltd
 fhf20n65a fhp20n65a fha20n65a.pdf pdf_icon

FHF20N50A

N N-CHANNEL MOSFET FHF20N65A/ FHP20N65A/FHA20N65A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 20A Crss ( 20pF) Low Crss (typical 20pF ) VDSS 650V Fast switching Rdson-typ 0.35 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested P (T =25) 85W D C

 8.2. Size:858K  feihonltd
 fhf20n60a fhp20n60a fha20n60a.pdf pdf_icon

FHF20N50A

N N-CHANNEL MOSFET FHF20N60A/ FHP20N60A/FHA20N60A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES Low gate charge ID 20A Crss ( 20pF) Low Crss (typical 20pF ) VDSS 600V Fast switching Rdson-typ 0.32 @Vgs=10V 100% 100% avalanche tested P (T =25) 85W D C

Другие MOSFET... FHP150N03C , FHP150N1F4A , FHP15N60A , FHF15N60A , FHP15N65A , FHF15N65A , FHP20N40A , FHP20N50A , 75N75 , FHP2N65D , FHF2N65D , FHU2N65D , FHD2N65D , FHP3205C , FHP3710C , FHP40N20A , FHP40N20C .

History: FHF8N60A | NDP605B | 2SK1105 | LNE06R140 | FHF8N60C | BL10N40-U | KF6N60F

 

 
Back to Top

 


 
.