FHP840B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FHP840B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 147 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 35 nC
Время нарастания (tr): 120 ns
Выходная емкость (Cd): 150 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.9 Ohm
Тип корпуса: TO-220
FHP840B Datasheet (PDF)
..1. Size:842K feihonltd
fhp840b.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
fhp840b.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
N N-CHANNEL MOSFET FHP840B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 9A Low gate charge VDSS 500V Crss ( 24pF) Low Crss (typical 24pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.65 Fast switching Qg-typ 35nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/dt c
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .