Справочник MOSFET. FHS100N09A

 

FHS100N09A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FHS100N09A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 230 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 90 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 60 nC
   Время нарастания (tr): 24 ns
   Выходная емкость (Cd): 1300 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для FHS100N09A

 

 

FHS100N09A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:309K  feihonltd
fhs100n09a.pdf

FHS100N09A FHS100N09A

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top