FHS150N1F4A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FHS150N1F4A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 223 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 160 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 100 nC
Время нарастания (tr): 28.8 ns
Выходная емкость (Cd): 2250 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.006 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для FHS150N1F4A
FHS150N1F4A Datasheet (PDF)
fhs150n1f4a.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHS150N1F4A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 160 A Low gate charge VDSS 100 V Crss ( 200pF) Low Crss (typical 200pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 4.2 m Fast switching Qg-typ 100nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Impr
fhp150n03a fhs150n03a fhd150n03a.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHP150N03A/FHS150N03A/FHD150N03A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 150 A Low gate charge VDSS 30V Crss ( 314pF) Low Crss (typical 314pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.5m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 3.2m 100% 100% avalanc
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
