FHS150N1F4A - описание и поиск аналогов

 

FHS150N1F4A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FHS150N1F4A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 223 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для FHS150N1F4A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHS150N1F4A даташит

 ..1. Size:1325K  feihonltd
 fhs150n1f4a.pdf pdf_icon

FHS150N1F4A

N N-CHANNEL MOSFET FHS150N1F4A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 160 A Low gate charge VDSS 100 V Crss ( 200pF) Low Crss (typical 200pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 4.2 m Fast switching Qg-typ 100nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Impr

 7.1. Size:1222K  feihonltd
 fhp150n03a fhs150n03a fhd150n03a.pdf pdf_icon

FHS150N1F4A

N N-CHANNEL MOSFET FHP150N03A/FHS150N03A/FHD150N03A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 150 A Low gate charge VDSS 30V Crss ( 314pF) Low Crss (typical 314pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.5m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 3.2m 100% 100% avalanc

Другие MOSFET... FHF8N60A , FHP8N60C , FHF8N60C , FHP8N65A , FHF8N65A , FHS100N09A , FHS110N8F5A , FHS130N10A , IRFP260N , FHS80N07A , FHD80N07A , FHS80N08B , FHD80N08B , FHS90N08C , FHT5N60D , FHU100N03A , FHD100N03A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.