Справочник MOSFET. FHS150N1F4A

 

FHS150N1F4A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FHS150N1F4A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 223 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для FHS150N1F4A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHS150N1F4A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1325K  feihonltd
 fhs150n1f4a.pdf pdf_icon

FHS150N1F4A

N N-CHANNEL MOSFET FHS150N1F4A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 160 A Low gate charge VDSS 100 V Crss ( 200pF) Low Crss (typical 200pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 4.2 m Fast switching Qg-typ 100nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Impr

 7.1. Size:1222K  feihonltd
 fhp150n03a fhs150n03a fhd150n03a.pdf pdf_icon

FHS150N1F4A

N N-CHANNEL MOSFET FHP150N03A/FHS150N03A/FHD150N03A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 150 A Low gate charge VDSS 30V Crss ( 314pF) Low Crss (typical 314pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.5m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 3.2m 100% 100% avalanc

Другие MOSFET... FHF8N60A , FHP8N60C , FHF8N60C , FHP8N65A , FHF8N65A , FHS100N09A , FHS110N8F5A , FHS130N10A , 10N60 , FHS80N07A , FHD80N07A , FHS80N08B , FHD80N08B , FHS90N08C , FHT5N60D , FHU100N03A , FHD100N03A .

History: STD100N10F7 | 2SK3819 | VBZM3710 | SFU9214 | NCE2301D | SM6002NSKP | INK0103AC1

 

 
Back to Top

 


 
.