Справочник MOSFET. FHS150N1F4A

 

FHS150N1F4A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FHS150N1F4A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 223 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 100 nC
   trⓘ - Время нарастания: 28.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2250 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для FHS150N1F4A

 

 

FHS150N1F4A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1325K  feihonltd
 fhs150n1f4a.pdf

FHS150N1F4A FHS150N1F4A

N N-CHANNEL MOSFET FHS150N1F4A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 160 A Low gate charge VDSS 100 V Crss ( 200pF) Low Crss (typical 200pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 4.2 m Fast switching Qg-typ 100nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Impr

 7.1. Size:1222K  feihonltd
 fhp150n03a fhs150n03a fhd150n03a.pdf

FHS150N1F4A FHS150N1F4A

N N-CHANNEL MOSFET FHP150N03A/FHS150N03A/FHD150N03A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 150 A Low gate charge VDSS 30V Crss ( 314pF) Low Crss (typical 314pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.5m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 3.2m 100% 100% avalanc

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top