Справочник MOSFET. FHU100N03A

 

FHU100N03A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FHU100N03A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для FHU100N03A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHU100N03A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1061K  feihonltd
 fhu100n03a fhd100n03a.pdf pdf_icon

FHU100N03A

2 1

 5.1. Size:767K  feihonltd
 fhu100n03c fhd100n03c fhp100n03c.pdf pdf_icon

FHU100N03A

N N-CHANNEL MOSFET FHU100N03C/FHD100N03C/FHP100N03C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 100 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 261pF) Low Crss (typical 261pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 3.7m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 5.1m 100% 100% avala

 5.2. Size:757K  feihonltd
 fhu100n03b fhd100n03b fhp100n03b.pdf pdf_icon

FHU100N03A

N N-CHANNEL MOSFET FHU100N03B/FHD100N03B/FHP100N03B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 100 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 261pF) Low Crss (typical 261pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 4.9m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 7.2m 100% 100% avala

Другие MOSFET... FHS130N10A , FHS150N1F4A , FHS80N07A , FHD80N07A , FHS80N08B , FHD80N08B , FHS90N08C , FHT5N60D , IRF9540 , FHD100N03A , FHU100N03B , FHD100N03B , FHP100N03B , FHU100N03C , FHD100N03C , FHP100N03C , FHU120N03C .

History: ME4468-G | IPD70P04P4-09 | SSW60R030SFD2 | GSM4900W | RUH30J95M | 7N80L-TQ2-R | HFP15N06

 

 
Back to Top

 


 
.