FHU100N03C. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FHU100N03C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44.6 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 12.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm
Тип корпуса: TO-251
Аналог (замена) для FHU100N03C
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FHU100N03C даташит
fhu100n03c fhd100n03c fhp100n03c.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHU100N03C/FHD100N03C/FHP100N03C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 100 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 261pF) Low Crss (typical 261pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 3.7m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 5.1m 100% 100% avala
fhu100n03b fhd100n03b fhp100n03b.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHU100N03B/FHD100N03B/FHP100N03B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 100 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 261pF) Low Crss (typical 261pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 4.9m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 7.2m 100% 100% avala
Другие MOSFET... FHD80N08B , FHS90N08C , FHT5N60D , FHU100N03A , FHD100N03A , FHU100N03B , FHD100N03B , FHP100N03B , IRF630 , FHD100N03C , FHP100N03C , FHU120N03C , FHD120N03C , FHU4N60A , FHP4N60A , FHD4N60A , FHF4N60A .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement | a872 transistor | b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678 | irf4115



