Справочник MOSFET. FHD120N03C

 

FHD120N03C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FHD120N03C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 48 nC
   Время нарастания (tr): 20 ns
   Выходная емкость (Cd): 1350 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для FHD120N03C

 

 

FHD120N03C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1114K  feihonltd
 fhu120n03c fhd120n03c.pdf

FHD120N03C FHD120N03C

N N-CHANNEL MOSFET FHU120N03C/FHD120N03C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 120 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 120pF) Low Crss (typical 120pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 3.0m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 3.7m 100% 100% avalanche teste

 9.1. Size:148K  china
 fhd122.pdf

FHD120N03C

FHD122(MJF122) NPN PCM Tc=25 30 W ICM 5 A Tjm 150 Tstg -55~150 V(BR) CBO ICB=20mA 100 V V(BR) CEO ICE=20mA 100 V V(BR)EBO ICE=20mA 5 V IEBO VEB=5V 2.0 V ICBO VCB=100V 0.01 mA ICEO VCE=50V 0.01 mA IC=3A VCEsat 2.0 V IB=12mA V

 9.2. Size:107K  china
 fhd128b.pdf

FHD120N03C

FHD128B NPN PCM TA=25 700 mW IC 800 mA Tjm 175 Tstg -55~175 VCEO ICE0.1mA 20 V VCBO ICB0.1mA 25 V ICEO VCE=10V 5.0 A IC=100mA VCEsat 1.5 V IB=1mA VCE=1V hFE 1000 IC=100mA 1. E 2. B 3. C

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top