Справочник MOSFET. FHD120N03C

 

FHD120N03C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FHD120N03C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для FHD120N03C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHD120N03C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1114K  feihonltd
 fhu120n03c fhd120n03c.pdf pdf_icon

FHD120N03C

N N-CHANNEL MOSFET FHU120N03C/FHD120N03C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 120 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 120pF) Low Crss (typical 120pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 3.0m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 3.7m 100% 100% avalanche teste

 9.1. Size:148K  china
 fhd122.pdf pdf_icon

FHD120N03C

FHD122(MJF122) NPN PCM Tc=25 30 W ICM 5 A Tjm 150 Tstg -55~150 V(BR) CBO ICB=20mA 100 V V(BR) CEO ICE=20mA 100 V V(BR)EBO ICE=20mA 5 V IEBO VEB=5V 2.0 V ICBO VCB=100V 0.01 mA ICEO VCE=50V 0.01 mA IC=3A VCEsat 2.0 V IB=12mA V

 9.2. Size:107K  china
 fhd128b.pdf pdf_icon

FHD120N03C

FHD128B NPN PCM TA=25 700 mW IC 800 mA Tjm 175 Tstg -55~175 VCEO ICE0.1mA 20 V VCBO ICB0.1mA 25 V ICEO VCE=10V 5.0 A IC=100mA VCEsat 1.5 V IB=1mA VCE=1V hFE 1000 IC=100mA 1. E 2. B 3. C

Другие MOSFET... FHD100N03A , FHU100N03B , FHD100N03B , FHP100N03B , FHU100N03C , FHD100N03C , FHP100N03C , FHU120N03C , 12N60 , FHU4N60A , FHP4N60A , FHD4N60A , FHF4N60A , FHU4N65A , FHP4N65A , FHD4N65A , FHF4N65A .

History: RU30E40L | MT06N020AL | HM2309C | SFS08R08DF | IRF6727M | WMM36N60C4 | FS16SM-6

 

 
Back to Top

 


 
.