Справочник MOSFET. FHP4N60A

 

FHP4N60A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FHP4N60A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для FHP4N60A

 

 

FHP4N60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1158K  feihonltd
 fhu4n60a fhp4n60a fhd4n60a fhf4n60a.pdf

FHP4N60A FHP4N60A

N N-CHANNEL MOSFET FHU4N60A/FHP4N60A/FHD4N60A/FHF4N60A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 4A Low gate charge VDSS 600V Crss ( 17pF) Low Crss (typical 17pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.7 Fast switching Qg-typ 13.3nC 100% 100% avalanche tested

 8.1. Size:1197K  feihonltd
 fhu4n65d fhd4n65d fhp4n65d fhf4n65d.pdf

FHP4N60A FHP4N60A

N N-CHANNEL MOSFET FHU4N65D/FHD4N65D/FHP4N65D/FHF4N65D MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 4A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 17pF) Low Crss (typical 17pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.4 Fast switching Qg-typ 13.3nC 100% 100% avalanche tested

 8.2. Size:1084K  feihonltd
 fhu4n65b fhp4n65b fhd4n65b fhf4n65b.pdf

FHP4N60A FHP4N60A

N N-CHANNEL MOSFET FHU4N65B/FHP4N65B/FHD4N65B/FHF4N65B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 4A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 3.5pF) Low Crss (typical 3.5pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.4 Fast switching Qg-typ 13.3nC 100% 100% avalanche tested

 8.3. Size:1195K  feihonltd
 fhu4n65a fhp4n65a fhd4n65a fhf4n65a.pdf

FHP4N60A FHP4N60A

N N-CHANNEL MOSFET FHU4N65A/FHP4N65A/FHD4N65A/FHF4N65A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 4A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 17pF) Low Crss (typical 17pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.9 Fast switching Qg-typ 13.3nC 100% 100% avalanche tested

 8.4. Size:1331K  feihonltd
 fhu4n65e fhd4n65e fhp4n65e fhf4n65e.pdf

FHP4N60A FHP4N60A

N N-CHANNEL MOSFET FHU4N65E/FHD4N65E/FHP4N65E/FHF4N65E MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 4A Low gate charge VDSS 650 V Crss ( 4.5pF) Low Crss (typical 4.5pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.1 Fast switching Qg-typ 18nC 100% 100% avalanche tested dv

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top