Справочник MOSFET. FHD5N60A

 

FHD5N60A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FHD5N60A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для FHD5N60A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHD5N60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1179K  feihonltd
 fhu5n60a fhd5n60a fhp5n60a fhf5n60a.pdf pdf_icon

FHD5N60A

N N-CHANNEL MOSFET FHU5N60A/FHD5N60A /FHP5N60A /FHF5N60A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 5A Low gate charge VDSS 600V Crss ( 17pF) Low Crss (typical 17pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.7 Fast switching Qg-typ 13.3nC 100% 100% avalanche tested

 8.1. Size:1011K  feihonltd
 fhu5n65b fhd5n65b fhp5n65b fhf5n65b.pdf pdf_icon

FHD5N60A

N N-CHANNEL MOSFET FHU5N65B/FHD5N65B/FHP5N65B/FHF5N65B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 5A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 3.5pF) Low Crss (typical 3.5pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.4 Fast switching Qg-typ 14.5nC 100% 100% avalanche tested

 8.2. Size:1011K  feihonltd
 fhu5n65c fhd5n65c fhp5n65c fhf5n65c.pdf pdf_icon

FHD5N60A

N N-CHANNEL MOSFET FHU5N65C/FHD5N65C/FHP5N65C/FHF5N65C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 5A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 3.5pF) Low Crss (typical 3.5pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.1 Fast switching Qg-typ 14.5nC 100% 100% avalanche tested

Другие MOSFET... FHD4N65E , FHP4N65E , FHF4N65E , FHU50N06A , FHD50N06A , FHU540A , FHD540A , FHU5N60A , P60NF06 , FHP5N60A , FHF5N60A , FHU5N65B , FHD5N65B , FHP5N65B , FHF5N65B , FHU5N65C , FHD5N65C .

History: HUFA76437P3 | CEM3258 | CJK1211 | PSMN5R8-30LL | DMP6110SSD | 2SK2513

 

 
Back to Top

 


 
.