Справочник MOSFET. FHP5N60A

 

FHP5N60A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FHP5N60A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для FHP5N60A

 

 

FHP5N60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1179K  feihonltd
 fhu5n60a fhd5n60a fhp5n60a fhf5n60a.pdf

FHP5N60A FHP5N60A

N N-CHANNEL MOSFET FHU5N60A/FHD5N60A /FHP5N60A /FHF5N60A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 5A Low gate charge VDSS 600V Crss ( 17pF) Low Crss (typical 17pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.7 Fast switching Qg-typ 13.3nC 100% 100% avalanche tested

 8.1. Size:1011K  feihonltd
 fhu5n65b fhd5n65b fhp5n65b fhf5n65b.pdf

FHP5N60A FHP5N60A

N N-CHANNEL MOSFET FHU5N65B/FHD5N65B/FHP5N65B/FHF5N65B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 5A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 3.5pF) Low Crss (typical 3.5pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.4 Fast switching Qg-typ 14.5nC 100% 100% avalanche tested

 8.2. Size:1011K  feihonltd
 fhu5n65c fhd5n65c fhp5n65c fhf5n65c.pdf

FHP5N60A FHP5N60A

N N-CHANNEL MOSFET FHU5N65C/FHD5N65C/FHP5N65C/FHF5N65C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 5A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 3.5pF) Low Crss (typical 3.5pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.1 Fast switching Qg-typ 14.5nC 100% 100% avalanche tested

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top