Справочник MOSFET. FHU70N03A

 

FHU70N03A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FHU70N03A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для FHU70N03A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHU70N03A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:708K  feihonltd
 fhu70n03a fhd70n03a.pdf pdf_icon

FHU70N03A

N N-CHANNEL MOSFET FHU70N03A/FHD70N03A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 68 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 130pF) Low Crss (typical 130pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 7.4m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 10.8m 100% 100% avalanche tested

Другие MOSFET... FHU5N65C , FHD5N65C , FHP5N65C , FHF5N65C , FHU630A , FHD630A , FHP630A , FHF630A , IRF2807 , FHD70N03A , FHU7N65B , FHD7N65B , FHP7N65B , FHF7N65B , FHU9540C , FHD9540C , BR13N50 .

History: CHM634PAGP | NVMFS5A140PLZ

 

 
Back to Top

 


 
.