FHU70N03A - описание и поиск аналогов

 

FHU70N03A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FHU70N03A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для FHU70N03A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHU70N03A даташит

 ..1. Size:708K  feihonltd
 fhu70n03a fhd70n03a.pdf pdf_icon

FHU70N03A

N N-CHANNEL MOSFET FHU70N03A/FHD70N03A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 68 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 130pF) Low Crss (typical 130pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 7.4m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 10.8m 100% 100% avalanche tested

Другие MOSFET... FHU5N65C , FHD5N65C , FHP5N65C , FHF5N65C , FHU630A , FHD630A , FHP630A , FHF630A , STF13NM60N , FHD70N03A , FHU7N65B , FHD7N65B , FHP7N65B , FHF7N65B , FHU9540C , FHD9540C , BR13N50 .

History: KHB9D0N90P1 | ST2341SRG | HYG043N10NS2B | 2SK365 | 4N60KL-TM3-T

 

 

 

 

↑ Back to Top
.