Справочник MOSFET. FHU7N65B

 

FHU7N65B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FHU7N65B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для FHU7N65B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHU7N65B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1075K  feihonltd
 fhu7n65b fhd7n65b fhp7n65b fhf7n65b.pdf pdf_icon

FHU7N65B

N N-CHANNEL MOSFET FHU7N65B/FHD7N65B /FHP7N65B /FHF7N65B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 7A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 5.5pF) Low Crss (typical 5.5pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.2 Fast switching Qg-typ 24nC 100% 100% avalanche tested

Другие MOSFET... FHP5N65C , FHF5N65C , FHU630A , FHD630A , FHP630A , FHF630A , FHU70N03A , FHD70N03A , IRF830 , FHD7N65B , FHP7N65B , FHF7N65B , FHU9540C , FHD9540C , BR13N50 , BR20N40 , BR2N7002K2 .

History: SVF2N60N | RQ6E050AT | IXFV26N50P | SIE808DF | 2SK3365 | OSG60R092HT3ZF | APT40M70B2VFRG

 

 
Back to Top

 


 
.