FHP7N65B - описание и поиск аналогов

 

FHP7N65B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FHP7N65B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для FHP7N65B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHP7N65B даташит

 ..1. Size:1075K  feihonltd
 fhu7n65b fhd7n65b fhp7n65b fhf7n65b.pdf pdf_icon

FHP7N65B

 7.1. Size:979K  feihonltd
 fhp7n65g.pdf pdf_icon

FHP7N65B

N N-CHANNEL MOSFET FHP7N65G MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 7A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 5.5pF) Low Crss (typical 5.5pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.0 Fast switching Qg-typ 24nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/dt

 7.2. Size:1006K  feihonltd
 fhp7n65a fhf7n65a.pdf pdf_icon

FHP7N65B

N N-CHANNEL MOSFET FHP7N65A /FHF7N65A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 7A Low gate charge VDSS 650V Crss ( 5.5pF) Low Crss (typical 5.5pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.0 Fast switching Qg-typ 24nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Impr

 8.1. Size:1020K  feihonltd
 fhp7n60a fhf7n60a.pdf pdf_icon

FHP7N65B

N N-CHANNEL MOSFET FHP7N60A /FHF7N60A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 7A Low gate charge VDSS 600V Crss ( 5.5pF) Low Crss (typical 5.5pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.9 Fast switching Qg-typ 24nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Impr

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FHU630A , FHD630A , FHP630A , FHF630A , FHU70N03A , FHD70N03A , FHU7N65B , FHD7N65B , P60NF06 , FHF7N65B , FHU9540C , FHD9540C , BR13N50 , BR20N40 , BR2N7002K2 , BR40P03 , BR4953D .

History: 2SJ278 | RD3P200SNFRA | 2SK1949L | AGM405A | STD55N4F5 | STG8820 | STW70N65M2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.