BR13N50 - описание и поиск аналогов

 

BR13N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BR13N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для BR13N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BR13N50 даташит

 ..1. Size:903K  blue-rocket-elect
 br13n50.pdf pdf_icon

BR13N50

BR13N50 Rev.F Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features Low gate charge, Low Crss , Fast switching. / Applications AC/DC It is very suit

Другие MOSFET... FHU70N03A , FHD70N03A , FHU7N65B , FHD7N65B , FHP7N65B , FHF7N65B , FHU9540C , FHD9540C , STP65NF06 , BR20N40 , BR2N7002K2 , BR40P03 , BR4953D , BR50P06 , BR8810MF , BRA4N60 , BRCS10N15DP .

History: IRF7902 | NTGS4111PT | SM2363PSA | ISL9N306AS3S | STD10LN80K5 | ST2302MSRG | BR75N08

 

 

 

 

↑ Back to Top
.