BR13N50 - аналоги и даташиты транзистора

 

BR13N50 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BR13N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для BR13N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BR13N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:903K  blue-rocket-elect
 br13n50.pdf pdf_icon

BR13N50

BR13N50 Rev.F Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features Low gate charge, Low Crss , Fast switching. / Applications AC/DC It is very suit

Другие MOSFET... FHU70N03A , FHD70N03A , FHU7N65B , FHD7N65B , FHP7N65B , FHF7N65B , FHU9540C , FHD9540C , IRFZ48N , BR20N40 , BR2N7002K2 , BR40P03 , BR4953D , BR50P06 , BR8810MF , BRA4N60 , BRCS10N15DP .

History: IPB80N04S2-04 | CMRDM3590 | FQPF6N70 | AP01L60J-HF | CEM6659 | SSF2449 | CSFR7N60D

 

 
Back to Top

 


 
.