BR20N40 - описание и поиск аналогов

 

BR20N40. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BR20N40

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 400 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для BR20N40

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BR20N40 даташит

 ..1. Size:975K  blue-rocket-elect
br20n40.pdfpdf_icon

BR20N40

BR20N40 Rev.C Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features dv/dt Low gate charge, Fast switching capability, Avalanche energy specified, Improved dv/dt capability. / Applications

 9.1. Size:975K  blue-rocket-elect
br20n50.pdfpdf_icon

BR20N40

Другие MOSFET... FHD70N03A , FHU7N65B , FHD7N65B , FHP7N65B , FHF7N65B , FHU9540C , FHD9540C , BR13N50 , IRF1405 , BR2N7002K2 , BR40P03 , BR4953D , BR50P06 , BR8810MF , BRA4N60 , BRCS10N15DP , BRCS120N02ZJ .

History: KTK921U | SM6128NSK | APTM100DA18CT1G | DMHT6016LFJ | WMN80R160S | 35N06 | AOC3870

 

 

 

 

↑ Back to Top
.