Справочник MOSFET. BR50P06

 

BR50P06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BR50P06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для BR50P06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BR50P06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:823K  blue-rocket-elect
 br50p06.pdf pdf_icon

BR50P06

BR50P06 Rev. F Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC

Другие MOSFET... FHF7N65B , FHU9540C , FHD9540C , BR13N50 , BR20N40 , BR2N7002K2 , BR40P03 , BR4953D , IRF1405 , BR8810MF , BRA4N60 , BRCS10N15DP , BRCS120N02ZJ , BRCS120N03ZJ , BRCS139WS , BRCS20P04DP , BRCS20P06DP .

History: VS3620DP2-G | WMM08N65C4 | IRFPC30 | TPC8087 | SL5N100F | IRHN7450SE

 

 
Back to Top

 


 
.