Справочник MOSFET. BR50P06

 

BR50P06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BR50P06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BR50P06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:823K  blue-rocket-elect
 br50p06.pdf pdf_icon

BR50P06

BR50P06 Rev. F Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SM8007NSU | NTMFS4H01NF | HGS120N06SL | SVF12N60CFJ | MTP15N06L | BL5N50-U | 2SK3045

 

 
Back to Top

 


 
.