BRCS10N15DP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BRCS10N15DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 54 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 250(max) ns
Выходная емкость (Cd): 74 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для BRCS10N15DP
BRCS10N15DP Datasheet (PDF)
brcs10n15dp.pdf
BRCS10N15DP Rev.B Dec.-2018 DATA SHEET / Descriptions N TO-252 N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features RDS(on) Crss Low RDS(on) ,low gate charge, low Crss , fast switching. HF Product. / Applications DC/DC
brcs139ws.pdf
BRCS139WS Rev.A Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions SOT-363 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a SOT-363 Plastic Package. / Features SOT-363 1500V Low RDS(on),rugged and reliable, compact industry standard SOT-363 surface mount package.ESD protected up to 1500V
brcs120n02zj.pdf
BRCS120N02ZJ Rev.A Aug.-2020 DATA SHEET / Descriptions DFN 2*2B-6L N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 2*2B-6L Plastic Package. / Features VDS (V) = 20V ID = 8 A (VGS = 20V) HF Product. / Applications DC/DC
brcs120n03zj.pdf
BRCS120N03ZJRev.B Sep.-2020 DATA SHEET / DescriptionsDFN 2*2B-6L N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 2*2B-6L Plastic Package. / FeaturesV (V) = 30VDSI = 8 A (V = 20V)D GSHF Product. / ApplicationsDC/DC
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
