BRCS30P10DP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BRCS30P10DP
Маркировка: BR30P10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 16.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 198 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для BRCS30P10DP
BRCS30P10DP Datasheet (PDF)
brcs30p10dp.pdf
BRCS30P10DP Rev.A Sep.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC
brcs30p10ip.pdf
BRCS30P10IP Rev.A Sep.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-251 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC
brcs30n10dp.pdf
BRCS30N10DP Rev.A Sep.-2018 DATA SHEET / Descriptions NTO-252 N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features RDS(on) Crss Low RDS(on) ,low gate charge, low C rss , fast switching. / Applications DC/DC
brcs300p016mc.pdf
BRCS300P016MC Rev.A Nov.-2023 DATA SHEET / Descriptions SOT23-3 P MOS P- CHANNEL MOSFET in a SOT23-3 Plastic Package. / Features V (V) = -16V I = -5A DS DRDS(ON)@-4.5V32m(Type.27m) RDS(ON)@-2.5V42m(Type.37.3m) RDS(ON)@-1.8V60m(Type.51m) HF Product. / Applications
brcs300p016zj.pdf
BRCS300P016ZJ Rev.A Sep.-2022 DATA SHEET / Descriptions DFN 22B-6L P MOS P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 22B-6L Plastic Package. / Features V (V) = -16V I = -11A DS DRDS(ON)@-4.5V32m HF Product. / Applications
brcs300p02zj.pdf
BRCS300P02ZJ Rev.A Aug.-2020 DATA SHEET / Descriptions DFN 2*2B-6L P MOS P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 2*2B-6L Plastic Package. / Features VDS (V) = -20V ID = -8A RDS(ON)@-4.5V30m HF Product. / Applications
brcs30n02ip.pdf
BRCS30N02IP Rev.A Sep.-2018 DATA SHEET / Descriptions N TO-251 N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC
brcs30n02dp.pdf
BRCS30N02DP Rev.A Sep.-2018 DATA SHEET / Descriptions N TO-252 N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918