BRCS30P10DP. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BRCS30P10DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 198 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для BRCS30P10DP
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BRCS30P10DP даташит
brcs30p10dp.pdf
BRCS30P10DP Rev.A Sep.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC
brcs30p10ip.pdf
BRCS30P10IP Rev.A Sep.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-251 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC
Другие MOSFET... BRCS20P06DP , BRCS2301AMA , BRCS2301MA , BRCS2302AMA , BRCS2302MA , BRCS2305MC , BRCS2310MA , BRCS300P02ZJ , IRF3205 , BRCS3205RA , BRCS3400MC , BRCS3401MC , BRCS3402MA , BRCS3407MC , BRCS3415MC , BRCS3420MC , BRCS4266SC .
History: SI2307A | 2SK2223-01
History: SI2307A | 2SK2223-01
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sc897 datasheet | 2sd389 | mp41 transistor | nkt275 datasheet | 2sd947 | a763 transistor | fhp40n20 | 2n3035 transistor








