BRD100N03 - описание и поиск аналогов

 

BRD100N03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRD100N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для BRD100N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRD100N03 даташит

 ..1. Size:799K  blue-rocket-elect
 brd100n03.pdf pdf_icon

BRD100N03

BRD100N03 Rev.A .Jun. -2017 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high effici

Другие MOSFET... BRCS5N10MC , BRCS5P06MA , BRCS7002K2ZK , BRCS70N08IP , BRCS80N03DP , BRCS90P03RA , BRCS9435SC , BRCS9926SC , P55NF06 , BRD15N10 , BRD30P06 , BRD4N70 , BRD50P06 , BRD70N08 , BRD840 , BRF5N65 , BRFL10N60 .

History: APQ04SN60CF | DMTH10H010SCT | ME2345A | IPA037N08N3 | DMT6005LCT | IRLU120 | AGM403DG

 

 

 

 

↑ Back to Top
.