Справочник MOSFET. BRD100N03

 

BRD100N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRD100N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для BRD100N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRD100N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:799K  blue-rocket-elect
 brd100n03.pdf pdf_icon

BRD100N03

BRD100N03 Rev.A .Jun. -2017 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high effici

Другие MOSFET... BRCS5N10MC , BRCS5P06MA , BRCS7002K2ZK , BRCS70N08IP , BRCS80N03DP , BRCS90P03RA , BRCS9435SC , BRCS9926SC , IRFB4115 , BRD15N10 , BRD30P06 , BRD4N70 , BRD50P06 , BRD70N08 , BRD840 , BRF5N65 , BRFL10N60 .

History: NDT2N60P | AP4616

 

 
Back to Top

 


 
.