BRD50P06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BRD50P06
Маркировка: BR50P06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 85 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 32 nC
Время нарастания (tr): 100 ns
Выходная емкость (Cd): 460 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.027 Ohm
Тип корпуса: TO-252
BRD50P06 Datasheet (PDF)
brd50p06.pdf
BRD50P06 Rev.F Nov.-2019 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. Halogen-free Product. / Applications
brd50n03.pdf
BRD50N03 Rev.G Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC
brd50n06.pdf
BRD50N06 Rev.D May.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
