BRD50P06 - описание и поиск аналогов

 

BRD50P06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRD50P06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для BRD50P06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRD50P06 даташит

 ..1. Size:587K  blue-rocket-elect
 brd50p06.pdf pdf_icon

BRD50P06

 9.1. Size:706K  blue-rocket-elect
 brd50n03.pdf pdf_icon

BRD50P06

BRD50N03 Rev.G Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC

 9.2. Size:773K  blue-rocket-elect
 brd50n06.pdf pdf_icon

BRD50P06

BRD50N06 Rev.D May.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC

Другие MOSFET... BRCS80N03DP , BRCS90P03RA , BRCS9435SC , BRCS9926SC , BRD100N03 , BRD15N10 , BRD30P06 , BRD4N70 , IRF630 , BRD70N08 , BRD840 , BRF5N65 , BRFL10N60 , BRFL10N65 , BRFL12N60 , BRFL12N65 , BRFL7N60 .

History: CS25N06B4 | SGSP321 | FTP18N06 | SGS150MA010D1 | AGM60P85AP | TPM2008EP3 | STT3463P

 

 

 

 

↑ Back to Top
.