BRFL10N60 - описание и поиск аналогов

 

BRFL10N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRFL10N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 69 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 166 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.73 Ohm

Тип корпуса: TO-220FL

Аналог (замена) для BRFL10N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRFL10N60 даташит

 ..1. Size:1164K  blue-rocket-elect
brfl10n60.pdfpdf_icon

BRFL10N60

BRFL10N60 Rev.E Nov.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high effi

 6.1. Size:1019K  blue-rocket-elect
brfl10n65.pdfpdf_icon

BRFL10N60

BRFL10N65 Rev.F Dec.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high effi

 6.2. Size:1434K  blue-rocket-elect
brfl10n65s.pdfpdf_icon

BRFL10N60

BRFL10N65S Rev.A Dec.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features Low gate charge, low crss, fast switching,Have good Electromagnetic Interference porformance. / Applications

 9.1. Size:889K  blue-rocket-elect
brfl12n60.pdfpdf_icon

BRFL10N60

Другие MOSFET... BRD100N03 , BRD15N10 , BRD30P06 , BRD4N70 , BRD50P06 , BRD70N08 , BRD840 , BRF5N65 , STP75NF75 , BRFL10N65 , BRFL12N60 , BRFL12N65 , BRFL7N60 , BRFL7N65 , BRFL7N80 , BRFL8N60 , IRFB3710 .

History: AOC3860C | D2N60 | B2N65

 

 

 

 

↑ Back to Top
.