BRFL10N65. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BRFL10N65
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 69 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 166 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
Тип корпуса: TO-220FL
Аналог (замена) для BRFL10N65
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BRFL10N65 даташит
brfl10n65.pdf
BRFL10N65 Rev.F Dec.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high effi
brfl10n65s.pdf
BRFL10N65S Rev.A Dec.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features Low gate charge, low crss, fast switching,Have good Electromagnetic Interference porformance. / Applications
brfl10n60.pdf
BRFL10N60 Rev.E Nov.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high effi
Другие MOSFET... BRD15N10 , BRD30P06 , BRD4N70 , BRD50P06 , BRD70N08 , BRD840 , BRF5N65 , BRFL10N60 , 2N7002 , BRFL12N60 , BRFL12N65 , BRFL7N60 , BRFL7N65 , BRFL7N80 , BRFL8N60 , IRFB3710 , 2312 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
ftp08n06a | 2n3405 | 2n3567 | 2sc1226 | 2sd180 | 2sd235 | k3502 datasheet | p0903bdg datasheet








