BRFL12N65 - описание и поиск аналогов

 

BRFL12N65. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRFL12N65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 133 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.78 Ohm

Тип корпуса: TO-220FL

Аналог (замена) для BRFL12N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRFL12N65 даташит

 ..1. Size:1422K  blue-rocket-elect
brfl12n65.pdfpdf_icon

BRFL12N65

BRFL12N65 Rev.F Nov.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features , , Low gate charge, Low Crss , Fast switching. / Applications UPS High efficiency switch mode po

 0.1. Size:1222K  blue-rocket-elect
brfl12n65s.pdfpdf_icon

BRFL12N65

 6.1. Size:889K  blue-rocket-elect
brfl12n60.pdfpdf_icon

BRFL12N65

 9.1. Size:1019K  blue-rocket-elect
brfl10n65.pdfpdf_icon

BRFL12N65

BRFL10N65 Rev.F Dec.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high effi

Другие MOSFET... BRD4N70 , BRD50P06 , BRD70N08 , BRD840 , BRF5N65 , BRFL10N60 , BRFL10N65 , BRFL12N60 , IRF4905 , BRFL7N60 , BRFL7N65 , BRFL7N80 , BRFL8N60 , IRFB3710 , 2312 , 06N06L , 18N10W .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.