Справочник MOSFET. BRFL8N60

 

BRFL8N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRFL8N60
   Маркировка: BR8N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 60.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FL
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BRFL8N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:863K  blue-rocket-elect
 brfl8n60.pdf pdf_icon

BRFL8N60

BRFL8N60 Rev.E Nov.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, Low Crss , Fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficie

 7.1. Size:1085K  blue-rocket-elect
 brfl8n65.pdf pdf_icon

BRFL8N60

BRFL8N65 Rev.E Nov.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficien

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: RF1S25N06 | 2SK3112-ZJ | IPP60R450E6 | AM2322N | STP4803 | IRFR120A | HFS730

 

 
Back to Top

 


 
.