BRFL8N60. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BRFL8N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 60.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO-220FL
Аналог (замена) для BRFL8N60
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BRFL8N60 даташит
brfl8n60.pdf
BRFL8N60 Rev.E Nov.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features , , Low gate charge, Low Crss , Fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficie
brfl8n65.pdf
BRFL8N65 Rev.E Nov.-2017 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficien
Другие MOSFET... BRF5N65 , BRFL10N60 , BRFL10N65 , BRFL12N60 , BRFL12N65 , BRFL7N60 , BRFL7N65 , BRFL7N80 , IRFP260 , IRFB3710 , 2312 , 06N06L , 18N10W , 2300F , 3400H , 3415A , 80N06-251 .
History: BSC076N06NS3G
History: BSC076N06NS3G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123


