06N06L - аналоги и даташиты транзистора

 

06N06L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 06N06L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для 06N06L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

06N06L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:725K  goford
 06n06l.pdf pdf_icon

06N06L

 9.1. Size:148K  inpower semi
 ftp06n06n.pdf pdf_icon

06N06L

FTP06N06N N-Channel MOSFET Lead Free Package and Finish Applications: Adaptor ID Silicon Charger VDSS RDS(ON)(Typ.) limited current SMPS 60V 4.5m 120A Features: RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve Inductive Switching Curves Ordering Information PART NUMBER PACKAGE BRAN

Другие MOSFET... BRFL12N60 , BRFL12N65 , BRFL7N60 , BRFL7N65 , BRFL7N80 , BRFL8N60 , IRFB3710 , 2312 , SKD502T , 18N10W , 2300F , 3400H , 3415A , 80N06-251 , 8680A , G01N20R , G06N10 .

History: 2SK3986-01MR | 2SK113R | 3482 | SWD3N90U | AP4569GD | SWD088R06VT | AP2762IN-A

 

 
Back to Top

 


 
.