06N06L. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 06N06L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для 06N06L
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
06N06L даташит
ftp06n06n.pdf
FTP06N06N N-Channel MOSFET Lead Free Package and Finish Applications Adaptor ID Silicon Charger VDSS RDS(ON)(Typ.) limited current SMPS 60V 4.5m 120A Features RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve Inductive Switching Curves Ordering Information PART NUMBER PACKAGE BRAN
Другие MOSFET... BRFL12N60 , BRFL12N65 , BRFL7N60 , BRFL7N65 , BRFL7N80 , BRFL8N60 , IRFB3710 , 2312 , SKD502T , 18N10W , 2300F , 3400H , 3415A , 80N06-251 , 8680A , G01N20R , G06N10 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor


