GC11N70T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: GC11N70T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.395 Ohm
Тип корпуса: TO-220
GC11N70T Datasheet (PDF)
gc11n70k gc11n70t gc11n70f.pdf

GOFORD GC11N70 Description RDS (ON ) The GC11N70 uses advanced super junction technology and VDSID @ (max) 10V design to provide excellent R and low gate charge. This DS(ON)device is suitable for industry AC-DC SMPS requirement of 11 700V 395m A PFC, AC/DC power conversion, and other industrial power application. General Features New technology for high
gc11n65t gc11n65f gc11n65k.pdf

GC11N65 GOFORD Description VDS RDS (ON ) ID The GC11N 65 uses advanced super junction technology and @ (Max) 10V design to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with low gate voltages. This device is suitable for 650V 360m 11 A industrys AC-DC SMPS requirement for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power application. General F
Другие MOSFET... G6P06 , G7P03L , G86N06K , G90N04 , GC11N65T , GC11N65F , GC11N65K , GC11N70K , EMB04N03H , GC11N70F , GT045N10M , GT045N10T , GT045N10D5 , GT060N10T , GT060N10M , GT070N15T , GT1003A .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0606AE | JMSL0606AC | JMSL0605PG | JMSL0605AGDQ | JMSL0605AGD | JMSL040SPG | JMSL040SMTL | JMSL040SAGQ | JMSL040SAG | JMSL0406PU | JMSL0406PK | JMSL0406PGD | JMSL0406PG | JMSL0406AUQ | JMSL0406AU | JMSL0406AP
Popular searches
2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet | 2024ont | 2n1306 transistor