Справочник MOSFET. DMT10H010LSS

 

DMT10H010LSS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: DMT10H010LSS
   Маркировка: T1010LS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.9 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.8 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 29.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 58.4 nC
   Время нарастания (tr): 14.1 ns
   Выходная емкость (Cd): 764 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для DMT10H010LSS

 

 

DMT10H010LSS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:367K  diodes
 dmt10h010lss.pdf

DMT10H010LSS DMT10H010LSS

DMT10H010LSS 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID MAX 100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production BVDSS RDS(ON) Max TC = +25C High Conversion Efficiency Low RDS(ON) Minimizes On State Losses 100V 29.5A 9.5m @ VGS = 10V Low Input Capacitance Fast Switching Speed Totally Lead-Free &

 4.1. Size:482K  diodes
 dmt10h010lk3.pdf

DMT10H010LSS DMT10H010LSS

DMT10H010LK3 Green100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Max 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable BVDSS RDS(ON) Max TC = +25C and Robust End Application Low RDS(ON) Minimizes Power Losses 8.8m @ VGS = 10V 68.8A Low Qg Minimizes Switching Losses Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

 4.2. Size:546K  diodes
 dmt10h010lct.pdf

DMT10H010LSS DMT10H010LSS

GreenDMT10H010LCT 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low Input Capacitance ID BV R Package DSS DS(ON) High BV Rating for Power Application DSST = +25C C Low Input/Output Leakage 100V 9.5m @V = 10V TO220AB 98A GS 100% Unclamped Inductive Switching (UIS) Test in Production Ensures More Reliable and Robust End Ap

 4.3. Size:261K  inchange semiconductor
 dmt10h010lct.pdf

DMT10H010LSS DMT10H010LSS

isc N-Channel MOSFET Transistor DMT10H010LCTFEATURESDrain Current I = 98A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 9.5m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and general

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top