Справочник MOSFET. DMT10H015LSS

 

DMT10H015LSS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMT10H015LSS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.67 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 261 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для DMT10H015LSS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMT10H015LSS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:445K  diodes
dmt10h015lss.pdfpdf_icon

DMT10H015LSS

DMT10H015LSS 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID 100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production BVDSS RDS(ON) Max TA = +25C High Conversion Efficiency Low RDS(ON) Minimizes On-State Losses 8.3A 16m @ VGS = 10V 100V Low Input Capacitance 7.9A 18m @ VGS = 6V Fast Switching Speed Tot

 4.1. Size:436K  1
dmt10h015lps-13.pdfpdf_icon

DMT10H015LSS

Green DMT10H015LPS 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8 Product Summary Features ID Thermally Efficient Package Cooler Running Applications BVDSS RDS(ON) Max TC = +25C High Conversion Efficiency Low RDS(ON) Minimizes On-State Losses 44A 16m @ VGS = 10V Low Input Capacitance 100V Fast Switching Speed 41A 18m @ VG

 4.2. Size:436K  diodes
dmt10h015lps.pdfpdf_icon

DMT10H015LSS

Green DMT10H015LPS 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8 Product Summary Features ID Thermally Efficient Package Cooler Running Applications BVDSS RDS(ON) Max TC = +25C High Conversion Efficiency Low RDS(ON) Minimizes On-State Losses 44A 16m @ VGS = 10V Low Input Capacitance 100V Fast Switching Speed 41A 18m @ VG

 6.1. Size:482K  diodes
dmt10h010lk3.pdfpdf_icon

DMT10H015LSS

DMT10H010LK3 Green100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Max 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable BVDSS RDS(ON) Max TC = +25C and Robust End Application Low RDS(ON) Minimizes Power Losses 8.8m @ VGS = 10V 68.8A Low Qg Minimizes Switching Losses Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

Другие MOSFET... DMP6185SEQ , DMP6350S , DMPH6050SK3 , DMPH6050SK3Q , DMT10H009LCG , DMT10H010LK3 , DMT10H010LSS , DMT10H015LPS , 5N60 , DMT3002LPS , DMT3006LFV , DMT3006LPS , DMT3009LDT , DMT3009LFVW , DMT3020LFDB , DMT3020LFDF , DMT3020LSD .

History: IRF6637 | MS4N60C | IXTH22N50P | VS3615GE | FTK35N03PDFN56 | AM4922N

 

 
Back to Top

 


 
.