Справочник MOSFET. DMT3002LPS

 

DMT3002LPS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMT3002LPS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 240 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2660 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm
   Тип корпуса: POWERDI5060-8
 

 Аналог (замена) для DMT3002LPS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMT3002LPS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:461K  diodes
dmt3002lps.pdfpdf_icon

DMT3002LPS

DMT3002LPS Green30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8 (Type K) Product Summary Features Thermally Efficient Package Cooler Running Applications ID BVDSS RDS(ON) TC = +25C

 8.1. Size:520K  1
dmt3009lfvw-7.pdfpdf_icon

DMT3002LPS

DMT3009LFVW 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 (SWP) (Type UX) Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) Ensures On State Losses Are Minimized ID Max BVDSS RDS(ON) Max Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher TC = +25C Density End Products 11m @ VGS = 10V 50A Occupies Just 33% of The Board Area Occupied by

 8.2. Size:337K  1
dmt3006lps-13.pdfpdf_icon

DMT3002LPS

DMT3006LPS GreenN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8 Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) Minimizes On-State Losses ID max Excellent Qgd x RDS(ON) Product (FOM) BVDSS RDS(ON) max TC = +25C Advanced Technology for DC-DC Converters Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher 6m @ VGS = 10V 65A Density En

 8.3. Size:410K  1
dmt3006lfv-7.pdfpdf_icon

DMT3002LPS

DMT3006LFV 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 (Type UX) Product Summary Features Low RDS(ON) Ensures On-State Losses are Minimized ID Max BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher C Density End Products 7m @ VGS = 10V 30V 60A Occupies just 33% of the Board Area Occupied by SO-8 Enabling

Другие MOSFET... DMP6350S , DMPH6050SK3 , DMPH6050SK3Q , DMT10H009LCG , DMT10H010LK3 , DMT10H010LSS , DMT10H015LPS , DMT10H015LSS , AO3400 , DMT3006LFV , DMT3006LPS , DMT3009LDT , DMT3009LFVW , DMT3020LFDB , DMT3020LFDF , DMT3020LSD , DMT31M6LPS .

History: VS3625GPMC | MDV1595SURH | AM2373P | VBA3695

 

 
Back to Top

 


 
.