Справочник MOSFET. DMT31M6LPS

 

DMT31M6LPS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMT31M6LPS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3372 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00135 Ohm
   Тип корпуса: POWERDI5060-8
 

 Аналог (замена) для DMT31M6LPS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMT31M6LPS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:421K  diodes
 dmt31m6lps.pdf pdf_icon

DMT31M6LPS

DMT31M6LPS GreenN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) Minimizes On-State Losses ID Max Excellent Qgd x RDS(ON) Product (FOM) BVDSS RDS(ON) Max TC = +25C Advanced Technology for DC-DC Converters Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher 1.35m @ VGS = 10V 150A Density End

 0.1. Size:421K  1
 dmt31m6lps-13.pdf pdf_icon

DMT31M6LPS

DMT31M6LPS GreenN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) Minimizes On-State Losses ID Max Excellent Qgd x RDS(ON) Product (FOM) BVDSS RDS(ON) Max TC = +25C Advanced Technology for DC-DC Converters Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher 1.35m @ VGS = 10V 150A Density End

Другие MOSFET... DMT3002LPS , DMT3006LFV , DMT3006LPS , DMT3009LDT , DMT3009LFVW , DMT3020LFDB , DMT3020LFDF , DMT3020LSD , RFP50N06 , DMT32M5LFG , DMT32M5LPS , DMT4002LPS , DMT4011LFG , DMT40M9LPS , DMT6004LPS , DMT6004SCT , DMT6005LPS .

History: VBE1638 | AFN08N50T220T | PSMN5R0-100PS | MMQ60R115PTH | IRFS621 | IRFSL4310Z

 

 
Back to Top

 


 
.