Справочник MOSFET. SSP4N60AS

 

SSP4N60AS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSP4N60AS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SSP4N60AS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSP4N60AS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:912K  samsung
ssp4n60as.pdfpdf_icon

SSP4N60AS

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 600 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 2.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 4 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 600V Lower RDS(ON) : 2.037 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Valu

 7.1. Size:178K  1
ssp4n55 ssp4n60 ssh4n55 ssh4n60.pdfpdf_icon

SSP4N60AS

 7.2. Size:888K  fairchild semi
ssp4n60b sss4n60b.pdfpdf_icon

SSP4N60AS

SSP4N60B/SSS4N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 4.0A, 600V, RDS(on) = 2.5 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 22 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 14 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fast switchi

 9.1. Size:203K  samsung
ssp4n80.pdfpdf_icon

SSP4N60AS

www.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.com

Другие MOSFET... SSP2N90A , SSP3N70 , SSP3N70A , SSP3N80A , SSP3N90A , SSP45N20A , SSP4N55 , SSP4N60 , 60N06 , SSP4N70 , SSP4N70A , SSP4N80A , SSP4N80AS , SSP4N90A , SSP4N90AS , SSP5N80A , SSP5N90A .

 

 
Back to Top

 


 
.