SSP4N60AS - описание и поиск аналогов

 

SSP4N60AS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSP4N60AS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SSP4N60AS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSP4N60AS даташит

 ..1. Size:912K  samsung
ssp4n60as.pdfpdf_icon

SSP4N60AS

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 600 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 2.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 4 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 600V Lower RDS(ON) 2.037 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Valu

 7.1. Size:178K  1
ssp4n55 ssp4n60 ssh4n55 ssh4n60.pdfpdf_icon

SSP4N60AS

 7.2. Size:888K  fairchild semi
ssp4n60b sss4n60b.pdfpdf_icon

SSP4N60AS

SSP4N60B/SSS4N60B 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 4.0A, 600V, RDS(on) = 2.5 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 22 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 14 pF) This advanced technology has been especially tailored to Fast switchi

 9.1. Size:203K  samsung
ssp4n80.pdfpdf_icon

SSP4N60AS

www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com

Другие MOSFET... SSP2N90A , SSP3N70 , SSP3N70A , SSP3N80A , SSP3N90A , SSP45N20A , SSP4N55 , SSP4N60 , IRLB3034 , SSP4N70 , SSP4N70A , SSP4N80A , SSP4N80AS , SSP4N90A , SSP4N90AS , SSP5N80A , SSP5N90A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.