DMTH4007LPS - описание и поиск аналогов

 

DMTH4007LPS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMTH4007LPS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 485 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: POWERDI5060-8

Аналог (замена) для DMTH4007LPS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMTH4007LPS даташит

 ..1. Size:479K  diodes
dmth4007lps.pdfpdf_icon

DMTH4007LPS

DMTH4007LPS Green 40V 175 C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features ID Thermally Efficient Package Cooler Running Applications BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 C High Conversion Efficiency 100A 6.5m @ VGS = 10V Low RDS(ON) Minimizes On-State Losses 40V 9.8m @ VGS = 4.5V 80A Low Input Capacitance Fast Swi

 0.1. Size:479K  1
dmth4007lps-13.pdfpdf_icon

DMTH4007LPS

DMTH4007LPS Green 40V 175 C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features ID Thermally Efficient Package Cooler Running Applications BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 C High Conversion Efficiency 100A 6.5m @ VGS = 10V Low RDS(ON) Minimizes On-State Losses 40V 9.8m @ VGS = 4.5V 80A Low Input Capacitance Fast Swi

 5.1. Size:562K  diodes
dmth4007lk3.pdfpdf_icon

DMTH4007LPS

Green DMTH4007LK3 40V 175 C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low RDS(ON) Ensures On State Losses are Minimized ID Max BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 C Excellent Qgd x RDS(ON) Product (FOM) Advanced Technology for DC-DC Converters 7.3m @ VGS = 10V 70A 40V Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher 9.8m @

 7.1. Size:392K  diodes
dmth4005sk3.pdfpdf_icon

DMTH4007LPS

Green DMTH4005SK3 40V +175 C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features C ID Rated to +175 Ideal for High Ambient Temperature BVDSS RDS(ON) max TC = +25 C Environments 100% Unclamped Inductive Switching ensures more reliable 40V 95A 4.5m @ VGS = 10V and robust end application Low RDS(ON) minimizes power losses Low

Другие MOSFET... DMT6009LSS , DMT69M8LSS , DMT8012LK3 , DMTH3004LK3 , DMTH4004LK3 , DMTH4004SCTB , DMTH4005SK3 , DMTH4007LK3 , 10N65 , DMTH6002LPS , DMTH6004SK3 , DMTH6004SK3Q , DMTH6005LK3Q , DMTH6009LK3 , DMTH6009LK3Q , DMTH6010LK3 , DMTH6010LPSQ .

History: SIF5N65F | AOU7S60 | SM4033NHU | 2SK3058 | LPN1010C | IRF7854 | FHP630A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.