SSP4N70 - описание и поиск аналогов

 

SSP4N70. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSP4N70

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SSP4N70

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSP4N70 даташит

 9.1. Size:178K  1
ssp4n55 ssp4n60 ssh4n55 ssh4n60.pdfpdf_icon

SSP4N70

 9.2. Size:888K  fairchild semi
ssp4n60b sss4n60b.pdfpdf_icon

SSP4N70

SSP4N60B/SSS4N60B 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 4.0A, 600V, RDS(on) = 2.5 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 22 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 14 pF) This advanced technology has been especially tailored to Fast switchi

 9.3. Size:203K  samsung
ssp4n80.pdfpdf_icon

SSP4N70

www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com

 9.4. Size:552K  samsung
ssp4n90a.pdfpdf_icon

SSP4N70

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 900 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 5.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 4 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) 4.181 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value

Другие MOSFET... SSP3N70 , SSP3N70A , SSP3N80A , SSP3N90A , SSP45N20A , SSP4N55 , SSP4N60 , SSP4N60AS , IRF9640 , SSP4N70A , SSP4N80A , SSP4N80AS , SSP4N90A , SSP4N90AS , SSP5N80A , SSP5N90A , SSP6N55 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.