DMG7N65SCTI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DMG7N65SCTI
Маркировка: 7N65SCT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 25.2 nC
trⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
Тип корпуса: TO220F
DMG7N65SCTI Datasheet (PDF)
dmg7n65scti.pdf

DMG7N65SCTI N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low Input Capacitance ID BVDSS RDS(ON) Package TC = +25 High BVDSS Rating for Power Application C ITO220AB Low Input/Output Leakage 650V 1.4@VGS = 10V 7.7A (Type TH) Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Descrip
dmg7n65scti.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor DMG7N65SCTIFEATURESDrain Current I = 7.7A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.4(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalp
dmg7n65sct.pdf

DMG7N65SCT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low Input Capacitance ID BV R DSS DS(ON) High BV Rating for Power Application DSST = +25C C Low Input/Output Leakage 650V 1.4@V = 10V 7.7A GS Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) For automo
dmg7n65sct.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor DMG7N65SCTFEATURESDrain Current I = 7.7A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.4(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpu
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: RFM12N20 | IPT007N06N | SIHFPF40 | TSM4415CS | RU1H300Q | STP3NK80Z | NVMFS6B14NL
History: RFM12N20 | IPT007N06N | SIHFPF40 | TSM4415CS | RU1H300Q | STP3NK80Z | NVMFS6B14NL



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
2n4401 | bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840 | irf740 | c945 transistor