DMG7N65SJ3 - описание и поиск аналогов

 

DMG7N65SJ3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMG7N65SJ3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для DMG7N65SJ3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMG7N65SJ3 даташит

 ..1. Size:553K  diodes
dmg7n65sj3.pdfpdf_icon

DMG7N65SJ3

DMG7N65SJ3 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance I D BV R DSS DS(ON) Max High BV Rating for Power Application DSS T = +25 C C Low Input Capacitance 650V 1.4 @ V = 10V 5.5A GS Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) For automot

 ..2. Size:273K  inchange semiconductor
dmg7n65sj3.pdfpdf_icon

DMG7N65SJ3

isc N-Channel MOSFET Transistor DMG7N65SJ3 FEATURES Drain Current I = 5.5A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 650V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 1.4 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general pu

 6.1. Size:345K  diodes
dmg7n65scti.pdfpdf_icon

DMG7N65SJ3

DMG7N65SCTI N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low Input Capacitance ID BVDSS RDS(ON) Package TC = +25 High BVDSS Rating for Power Application C ITO220AB Low Input/Output Leakage 650V 1.4 @VGS = 10V 7.7A (Type TH) Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Descrip

 6.2. Size:453K  diodes
dmg7n65sct.pdfpdf_icon

DMG7N65SJ3

DMG7N65SCT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low Input Capacitance I D BV R DSS DS(ON) High BV Rating for Power Application DSS T = +25 C C Low Input/Output Leakage 650V 1.4 @V = 10V 7.7A GS Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) For automo

Другие MOSFET... 19N20 , DMG10N60SCT , DMG3N60SJ3 , DMG4N60SCT , DMG4N60SJ3 , DMG4N60SK3 , DMG7N65SCT , DMG7N65SCTI , IRF830 , DMG8N65SCT , DMJ70H1D0SV3 , DMJ70H1D3SH3 , DMJ70H1D4SV3 , DMJ70H1D5SV3 , DMJ70H600SH3 , DMJ70H601SK3 , DMJ70H601SV3 .

History: DMC2700UDM-7

 

 

 

 

↑ Back to Top
.