SSP4N80A - описание и поиск аналогов

 

SSP4N80A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSP4N80A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SSP4N80A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSP4N80A даташит

 ..1. Size:860K  samsung
ssp4n80a.pdfpdf_icon

SSP4N80A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 4.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 4 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) 3.400 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value

 0.1. Size:208K  samsung
ssp4n80as.pdfpdf_icon

SSP4N80A

SSP4N80AS Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 3.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 4.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-220 Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) 2.450 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Ch

 7.1. Size:203K  samsung
ssp4n80.pdfpdf_icon

SSP4N80A

www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com

 9.1. Size:178K  1
ssp4n55 ssp4n60 ssh4n55 ssh4n60.pdfpdf_icon

SSP4N80A

Другие MOSFET... SSP3N80A , SSP3N90A , SSP45N20A , SSP4N55 , SSP4N60 , SSP4N60AS , SSP4N70 , SSP4N70A , AON7403 , SSP4N80AS , SSP4N90A , SSP4N90AS , SSP5N80A , SSP5N90A , SSP6N55 , SSP6N60 , SSP6N70A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.