DMNH6012LK3 - описание и поиск аналогов

 

DMNH6012LK3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMNH6012LK3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для DMNH6012LK3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMNH6012LK3 даташит

 ..1. Size:610K  diodes
dmnh6012lk3.pdfpdf_icon

DMNH6012LK3

Green DMNH6012LK3 60V +175 C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Rated to +175 C - Ideal for High Ambient Temperature Environments ID max BVDSS RDS(ON) max 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable TC = +25 C 12m @ VGS = 10V 60A and Robust End Application 60V 50A 18m @ VGS = 4.5V Low On-Resistance L

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
dmnh6012lk3.pdfpdf_icon

DMNH6012LK3

isc N-Channel MOSFET Transistor DMNH6012LK3 FEATURES Drain Current I = 60A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 12m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general pur

 7.1. Size:590K  diodes
dmnh6011lk3.pdfpdf_icon

DMNH6012LK3

Green DMNH6011LK3 55V 175 C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Max Rated to +175 C Ideal for High Ambient Temperature BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 C Environments 12m @ VGS = 10V 80A 100% Unclamped Inductive Switching Ensures more Reliable 55V 18m @ VGS = 4.5V 65A and Robust End Application Low On-Resistance

 7.2. Size:265K  inchange semiconductor
dmnh6011lk3.pdfpdf_icon

DMNH6012LK3

isc N-Channel MOSFET Transistor DMNH6011LK3 FEATURES Drain Current I = 80A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 55V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 12m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general pur

Другие MOSFET... DMNH10H028SCT , DMNH10H028SK3 , DMNH3010LK3 , DMNH4005SCT , DMNH4006SK3 , DMNH4011SK3 , DMNH6008SCT , DMNH6011LK3 , IRFB4110 , DMNH6021SK3 , DMNH6042SK3 , DMT10H010LCT , DMT4003SCT , DMT4005SCT , DMT6005LCT , DMT6009LCT , DMT6010SCT .

History: E10P02 | APQ02SN65AH | SI4447DY

 

 

 

 

↑ Back to Top
.