DMNH6012LK3. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: DMNH6012LK3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 11.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для DMNH6012LK3
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
DMNH6012LK3 даташит
dmnh6012lk3.pdf
Green DMNH6012LK3 60V +175 C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Rated to +175 C - Ideal for High Ambient Temperature Environments ID max BVDSS RDS(ON) max 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable TC = +25 C 12m @ VGS = 10V 60A and Robust End Application 60V 50A 18m @ VGS = 4.5V Low On-Resistance L
dmnh6012lk3.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor DMNH6012LK3 FEATURES Drain Current I = 60A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 12m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general pur
dmnh6011lk3.pdf
Green DMNH6011LK3 55V 175 C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Max Rated to +175 C Ideal for High Ambient Temperature BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 C Environments 12m @ VGS = 10V 80A 100% Unclamped Inductive Switching Ensures more Reliable 55V 18m @ VGS = 4.5V 65A and Robust End Application Low On-Resistance
dmnh6011lk3.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor DMNH6011LK3 FEATURES Drain Current I = 80A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 55V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 12m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general pur
Другие MOSFET... DMNH10H028SCT , DMNH10H028SK3 , DMNH3010LK3 , DMNH4005SCT , DMNH4006SK3 , DMNH4011SK3 , DMNH6008SCT , DMNH6011LK3 , IRFB4110 , DMNH6021SK3 , DMNH6042SK3 , DMT10H010LCT , DMT4003SCT , DMT4005SCT , DMT6005LCT , DMT6009LCT , DMT6010SCT .
History: E10P02 | APQ02SN65AH | SI4447DY
History: E10P02 | APQ02SN65AH | SI4447DY
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
irf9540 | 2n3055 datasheet | 2sc945 | irfp250n | irf9540n | bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053







