EN2305 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: EN2305
Маркировка: A5GN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.7 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 7.8 nC
Время нарастания (tr): 35 ns
Выходная емкость (Cd): 290 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.045 Ohm
Тип корпуса: SOT23
EN2305 Datasheet (PDF)
en2305.pdf
Eternal Semiconductor Inc.EN2305P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-20V, -4.9A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Typ.34 @ VGS = -4.5 V,ID=-4.5A-20V -4.9A44 @ VGS = -2.5V,ID=-2.5AFeatures Super high dense cell trench design for low RDS(on) Rugged and reliable SOT-23 package LeadPb-free and halogen-freeEN2305 Pin Assignment & Symbol3-Lead Plastic S
cen2307a.pdf
CEN2307AP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorPRELIMINARYFEATURES-30V, -3.2A, RDS(ON) = 78m @VGS = -10V. RDS(ON) = 120m @VGS = -4.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead-free plating ; RoHS compliant.SOT-23 package.GDSGSSOT-23-TABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Lim
cen2301.pdf
CEN2301P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-20V, -2.7A, RDS(ON) = 110m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 160m @VGS = -2.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead-free plating ; RoHS compliant.SOT-23-T package.GDSGSSOT-23-TABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit Units
en2301.pdf
Eternal Semiconductor Inc. EN2301P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-20V, -2.8A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)Typ.85 @ VGS = -4.5V,ID=-2.8A-20V -2.8A105 @ VGS = -2.5V,ID=-2.0AFeatures Super high dense cell trench design for low RDS(on) Advanced Trench Process Technology SOT-23 package LeadPb-free and halogen-freeEN2301 Pin Assignment & Symbol
en2300.pdf
Eternal Semiconductor Inc. EN2300N-Channel High Density Trench MOSFET (20V, 5.4A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m) Tpy.23 @ VGS = 4.0V, ID=5.4A20V 5.4A30 @ VGS = 2.5V, ID=4.3AFeatures Super high dense cell trench design for low RDS(on) Advanced Trench Process Technology SOT-23 package LeadPb-free and halogen-freeDrainEN2300 Pin Assignment & Symb
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
