Справочник MOSFET. SSP6N80A

 

SSP6N80A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSP6N80A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 67 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SSP6N80A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSP6N80A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:863K  samsung
 ssp6n80a.pdf pdf_icon

SSP6N80A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 2.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) : 1. (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. Source1.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymb

 9.1. Size:288K  1
 ssp6n55 ssp6n60.pdf pdf_icon

SSP6N80A

 9.2. Size:864K  samsung
 ssp6n70a.pdf pdf_icon

SSP6N80A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 700 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 700V Low RDS(ON) : 1.552 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

 9.3. Size:863K  samsung
 ssp6n90a.pdf pdf_icon

SSP6N80A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 900 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 2.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) : 1.829 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSP4N80AS , SSP4N90A , SSP4N90AS , SSP5N80A , SSP5N90A , SSP6N55 , SSP6N60 , SSP6N70A , IRFP064N , SSP6N90A , SSP70N10A , SSP7N60A , SSP7N80A , SSP80N06A , SSR1N50 , SSR1N50A , SSR1N60A .

 

 
Back to Top

 


 
.