Справочник MOSFET. SMF20N65

 

SMF20N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SMF20N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 43.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 282 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SMF20N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMF20N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:600K  huake
 smf20n65.pdf pdf_icon

SMF20N65

SMF20N65650V N-Channnel MOSFETFeatures 20.0A, 650V, R =0.38@V =10VDS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low Crss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt CapabilityApplication: High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor CorrectionAbsolute Maximum Ratings(Tc=25C unless otherwise noted)Symbol Parameter Va

Другие MOSFET... SMD4N65 , SMD7N65 , SMF10N60 , SMF10N65 , SMF12N60 , SMF12N65 , SMF14N65 , SMF16N65 , IRF540N , SMF2N60 , SMF2N65 , SMF4N60 , SMF4N65 , SMF5N60 , SMF5N65 , SMF7N60 , SMF7N65 .

History: SM7580NSF | IRF7303TR | NCEP020N30GU | HMS8N60I | OSG65R260FSF_NB

 

 
Back to Top

 


 
.