Справочник MOSFET. SMF2N65

 

SMF2N65 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SMF2N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 23 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 9 nC
   Время нарастания (tr): 23 ns
   Выходная емкость (Cd): 40 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.9 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для SMF2N65

 

 

SMF2N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:898K  huake
 smf2n65.pdf

SMF2N65 SMF2N65

SMF2N65650V N-Channnel MOSFETFeatures 2.0A, 650V, R =4.2@V =10VDS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low Crss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt CapabilityApplication: High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor CorrectionAbsolute Maximum Ratings(Tc=25C unless otherwise noted)Symbol Parameter Value

 8.1. Size:898K  huake
 smf2n60.pdf

SMF2N65 SMF2N65

SMF2N60600V N-Channnel MOSFETFeatures 2.0A, 600V, R =3.8@V =10VDS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low Crss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt CapabilityApplication: High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor CorrectionAbsolute Maximum Ratings(Tc=25C unless otherwise noted)Symbol Parameter Value

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top