Справочник MOSFET. SMF5N60

 

SMF5N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SMF5N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 76 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SMF5N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMF5N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:949K  huake
 smf5n60.pdf pdf_icon

SMF5N60

SMF5N60600V N-Channnel MOSFETFeatures 5.0A, 600V, R =1.9@V =10VDS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low Crss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt CapabilityApplication: High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor CorrectionAbsolute Maximum Ratings(Tc=25C unless otherwise noted)Symbol Parameter Value

 8.1. Size:948K  huake
 smf5n65.pdf pdf_icon

SMF5N60

SMF5N65650V N-Channnel MOSFETFeatures 5.0A, 650V, R =2.4@V =10VDS(on)(Typ) GS Low Gate Charge Low Crss 100% Avalanche Tested Fast Switching Improved dv/dt CapabilityApplication: High Frequency Switching Mode Power Supply Active Power Factor CorrectionAbsolute Maximum Ratings(Tc=25C unless otherwise noted)Symbol Parameter Value

Другие MOSFET... SMF12N65 , SMF14N65 , SMF16N65 , SMF20N65 , SMF2N60 , SMF2N65 , SMF4N60 , SMF4N65 , IRF1404 , SMF5N65 , SMF7N60 , SMF7N65 , SMF8N60 , SMF8N65 , SMT10N60 , SMT12N60 , SMT5N60 .

History: WMK26N60F2 | IRLR3715ZPBF | 2SJ589LS | ME04N25-G | SI3403 | NCEP2390

 

 
Back to Top

 


 
.