Справочник MOSFET. HD70N08

 

HD70N08 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HD70N08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для HD70N08

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HD70N08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4025K  haolin elec
 hd70n08 hu70n08.pdf pdf_icon

HD70N08

Dec 2006BVDSS = 80VRDS(on) typ =8.5m HD70N08 / HU70N08ID = 70 A80V N -Channel MOSFETTO-252 TO-251FEATURES Originative New DesignHD70N08 HU70N08 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 22 nC (Typ.)

 8.1. Size:708K  feihonltd
 fhu70n03a fhd70n03a.pdf pdf_icon

HD70N08

N N-CHANNEL MOSFET FHU70N03A/FHD70N03A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 68 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 130pF) Low Crss (typical 130pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 7.4m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 10.8m 100% 100% avalanche tested

Другие MOSFET... HD5N50 , HU5N50 , HD60N03 , HU60N03 , HD60N75 , HU60N75 , HD60P03 , HU60P03 , IRLB4132 , HU70N08 , HD830 , HU830 , HD830U , HU830U , HD840U , HU840U , HF10N60 .

History: RSR015P03TL | UPA1792G | AOW29S50

 

 
Back to Top

 


 
.