Справочник MOSFET. HD70N08

 

HD70N08 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HD70N08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 77 nC
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для HD70N08

 

 

HD70N08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4025K  haolin elec
 hd70n08 hu70n08.pdf

HD70N08 HD70N08

Dec 2006BVDSS = 80VRDS(on) typ =8.5m HD70N08 / HU70N08ID = 70 A80V N -Channel MOSFETTO-252 TO-251FEATURES Originative New DesignHD70N08 HU70N08 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 22 nC (Typ.)

 8.1. Size:708K  feihonltd
 fhu70n03a fhd70n03a.pdf

HD70N08 HD70N08

N N-CHANNEL MOSFET FHU70N03A/FHD70N03A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 68 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 130pF) Low Crss (typical 130pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 7.4m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 10.8m 100% 100% avalanche tested

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top