HY1606V datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HY1606V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 64 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 66 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 760 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для HY1606V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY1606V даташит

 ..1. Size:957K  hymexa
 hy1606d hy1606u hy1606v.pdf pdf_icon

HY1606V

HY1606D/U/V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 60V/66A, RDS(ON)=10.4 m (typ.) @ VGS=10V Avalanche Rated Reliable and Rugged S D S S Lead Free and Green Devices Available G D D G G (RoHS Compliant) S D G TO-251-3L TO-251-3L TO-252-2L Applications Power Management for Inverter Systems. N-Channel MOSFET Ordering and Marki

 8.1. Size:627K  hymexa
 hy1606p hy1606b.pdf pdf_icon

HY1606V

HY1606P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 60V/66A RDS(ON)= 10.4 m (typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged S Lead Free and Green Devices Available D G (RoHS Compliant) S D G TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching application Power Management for Inverter Systems. N-Channel MOSFET Ordering and

 8.2. Size:627K  hymexa
 hy1606p-b.pdf pdf_icon

HY1606V

HY1606P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 60V/66A RDS(ON)= 10.4 m (typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged S Lead Free and Green Devices Available D G (RoHS Compliant) S D G TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching application Power Management for Inverter Systems. N-Channel MOSFET Ordering and

 9.1. Size:1089K  hymexa
 hy1607d hy1607u hy1607v.pdf pdf_icon

HY1606V

HY1607D/U/V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 68V/70A RDS(ON)= 6.8m (typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged S D G Lead Free and Green Devices Available S D (RoHS Compliant) G TO-252-2L TO-251-3L Applications Power Management for Inverter Systems. N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Package Cod

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HY15P03S, HY1603D, HY1603U, HY1603S, HY1603P, HY1603B, HY1606D, HY1606U, IRFB4227, HY1607D, HY1607U, HY1607V, HY1607M, HY1607B, HY1607MF, HY1607PS, HY1607PM