HY1803C2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HY1803C2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 469 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: PPAK5X6-8L

Аналог (замена) для HY1803C2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY1803C2 даташит

 ..1. Size:1648K  1
 hy1803c2.pdf pdf_icon

HY1803C2

HY1803C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 30V/80A D D D D D D D D RDS(ON)= 2.4m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 2.8m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available S S S G G S S S Pin1 PPAK5*6-8L Applications Switching Application Power Management for DC/DC N-Channel MOSFET

 ..2. Size:1648K  hymexa
 hy1803c2.pdf pdf_icon

HY1803C2

HY1803C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 30V/80A D D D D D D D D RDS(ON)= 2.4m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 2.8m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available S S S G G S S S Pin1 PPAK5*6-8L Applications Switching Application Power Management for DC/DC N-Channel MOSFET

 9.1. Size:6123K  1
 hy1808ap hy1808m hy1808b hy1808ps hy1808pm.pdf pdf_icon

HY1803C2

HY1808AP/M/B/PS/PM N-Channel Enhancement Mode MOSFET Pin Description eatures F 80V/84A RDS(ON)=6.2m (typ.) @ VGS=10V S Avalanche Rated D S D G G Reliable and Rugged S D G Lead Free and Green Devices Available TO-263-2L TO-220FB-3L TO-220FB-3S (RoHS Compliant) S D G S D G Applications TO-3PS-3L TO-3PS-3M D Power Management for Inverter Systems. G N-Channe

 9.2. Size:911K  hymexa
 hy1804p hy1804b.pdf pdf_icon

HY1803C2

HY1804P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 40V/110A RDS(ON)= 3.6m (typ.)@VGS = 10V RDS(ON)= 4.4m (typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged S GD Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) GDS TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching Application Power Management for DC/DC N-Channel MO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HY1710P, HY1710M, HY1710B, HY1710MF, HY1710PS, HY1710PM, HY1720P, HY1720B, IRF4905, HY1804D, HY1804V, HY1804P, HY1804B, HY1904C2, HY1904D, HY1904U, HY1904V