Справочник MOSFET. HY1803C2

 

HY1803C2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY1803C2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 469 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: PPAK5X6-8L
 

 Аналог (замена) для HY1803C2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY1803C2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1648K  1
hy1803c2.pdfpdf_icon

HY1803C2

HY1803C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description 30V/80AD D D D D D D DRDS(ON)= 2.4m(typ.) @VGS = 10VRDS(ON)= 2.8m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableS S S G G S S SPin1 PPAK5*6-8L Applications Switching Application Power Management for DC/DCN-Channel MOSFET

 ..2. Size:1648K  hymexa
hy1803c2.pdfpdf_icon

HY1803C2

HY1803C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description 30V/80AD D D D D D D DRDS(ON)= 2.4m(typ.) @VGS = 10VRDS(ON)= 2.8m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableS S S G G S S SPin1 PPAK5*6-8L Applications Switching Application Power Management for DC/DCN-Channel MOSFET

 9.1. Size:6123K  1
hy1808ap hy1808m hy1808b hy1808ps hy1808pm.pdfpdf_icon

HY1803C2

HY1808AP/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETPin DescriptioneaturesF 80V/84ARDS(ON)=6.2m (typ.) @ VGS=10VSAvalanche Rated DSD GGReliable and Rugged SDGLead Free and Green Devices Available TO-263-2L TO-220FB-3L TO-220FB-3S(RoHS Compliant)SDGSDGApplicationsTO-3PS-3L TO-3PS-3MD Power Management for Inverter Systems.G N-Channe

 9.2. Size:911K  hymexa
hy1804p hy1804b.pdfpdf_icon

HY1803C2

HY1804P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description 40V/110ARDS(ON)= 3.6m(typ.)@VGS = 10VRDS(ON)= 4.4m(typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and RuggedSGD Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)GDSTO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching Application Power Management for DC/DCN-Channel MO

Другие MOSFET... HY1710P , HY1710M , HY1710B , HY1710MF , HY1710PS , HY1710PM , HY1720P , HY1720B , IRF4905 , HY1804D , HY1804V , HY1804P , HY1804B , HY1904C2 , HY1904D , HY1904U , HY1904V .

History: BUK9675-100A | P4506BD | FMP20N50E | BLP065N08G-D | ME4972-G | IXTH44P15T | RJK5032DPH-E0

 

 
Back to Top

 


 
.