Справочник MOSFET. HY1804V

 

HY1804V MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HY1804V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 461 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для HY1804V

 

 

HY1804V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1499K  hymexa
 hy1804d hy1804v.pdf

HY1804V HY1804V

HY1804D/UN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeaturesPin Description 40V/80A,RDS(ON)=4.0 m(typ.) @ VGS=10VRDS(ON)=4.6 m(typ.) @ VGS=4.5 VSSD SD S Avalanche RatedG D G DG G Reliable and RuggedSSD DG Halogen Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3SApplications Switching Application Pow

 8.1. Size:911K  hymexa
 hy1804p hy1804b.pdf

HY1804V HY1804V

HY1804P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description 40V/110ARDS(ON)= 3.6m(typ.)@VGS = 10VRDS(ON)= 4.4m(typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and RuggedSGD Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)GDSTO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching Application Power Management for DC/DCN-Channel MO

 9.1. Size:6123K  1
 hy1808ap hy1808m hy1808b hy1808ps hy1808pm.pdf

HY1804V HY1804V

HY1808AP/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETPin DescriptioneaturesF 80V/84ARDS(ON)=6.2m (typ.) @ VGS=10VSAvalanche Rated DSD GGReliable and Rugged SDGLead Free and Green Devices Available TO-263-2L TO-220FB-3L TO-220FB-3S(RoHS Compliant)SDGSDGApplicationsTO-3PS-3L TO-3PS-3MD Power Management for Inverter Systems.G N-Channe

 9.2. Size:1648K  1
 hy1803c2.pdf

HY1804V HY1804V

HY1803C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description 30V/80AD D D D D D D DRDS(ON)= 2.4m(typ.) @VGS = 10VRDS(ON)= 2.8m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableS S S G G S S SPin1 PPAK5*6-8L Applications Switching Application Power Management for DC/DCN-Channel MOSFET

 9.3. Size:1648K  hymexa
 hy1803c2.pdf

HY1804V HY1804V

HY1803C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description 30V/80AD D D D D D D DRDS(ON)= 2.4m(typ.) @VGS = 10VRDS(ON)= 2.8m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableS S S G G S S SPin1 PPAK5*6-8L Applications Switching Application Power Management for DC/DCN-Channel MOSFET

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: AP2306AGEN

 

 
Back to Top